所在系所：

机械工程系/光机电液系统先进制造及智能装备

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通讯地址：

昆明市呈贡区昆明理工大学机电工程学院

邮    编：

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教育背景

时间

毕业学校

所学专业

学历

2017.09-2022.06

广东工业大学

机械工程(硕博连读)

博士

2013.09-2017.06

广东工业大学

机械设计制造及其及自动化

学士

工作经历

时间

工作单位

职称、职务

2022.08至今

2023.09至今

昆明理工大学机电工程学院

云南临沧鑫圆锗业股份有限公司

校聘副教授

在职博士后

研究领域（方向）

(1) 半导体晶片超精密平坦化加工

(2) 超精密加工理论与技术

(3) 化学机械抛光

(4) 智能材料开发与应用

个人总体简介

邓家云，男，汉族，中共党员，校聘副教授，硕士生导师，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司在职博士后，云南省“兴滇英才”青年人才获得者，云南省“彩云博士后”创新支持项目获得者，2022年于广东工业大学机电工程学院获工学博士学位并于同年以高层次引进人才身份进入学院工作。研究领域主要为半导体晶片超精密平坦化加工，主要包括超光滑平坦化加工设备的研制与开发、研磨加工、化学机械抛光加工机理及工艺优化研究等。主持国家自然科学基金—地区基金项目1项、云南省基金面上项目2项、国重开放课题1项，发表高水平论文42篇，其中SCI论文33篇，EI论文3篇；申请/授权专利10项。

目前，主要研究工作集中在学科交叉前沿，融合化学、材料学、机械学、分子动力学等学科，致力于研究单晶磷化铟、单晶蓝宝石、单晶SiC、单晶GaN、单晶金刚石等半导体晶片的超精密平坦化加工(研磨、磨削、化学机械抛光)等，为我国攻克半导体芯片制造“卡脖子”难题提供有力技术支撑。

研究生招生需求：课题组研究方向涉及学科交叉，可接收机械、电子、材料、化学等专业学生，要求主动、勤奋、动手能力强、勇于接受学习新知识，对科学研究、技术开发感兴趣、有志于从事半导体晶片超精密加工的同学。

主要科研项目

1. 国家自然科学基金-地区基金项目，面向原子级制造的磷化铟晶圆力学性能—切割—研磨—抛光加工一体化关系研究(项目编号：62564008)，2026.01-2019.12，33万元，在研，主持。

2. 云南省科技厅-面上项目,单晶GaN电芬顿化学机械抛光协同增效机理研究(No. 202401CF070088)，2024.03—2027.02，10万元，在研，主持。

3. 云南省科技厅 昆明理工大学“双一流”创建联合专项-面上项目，基于电芬顿反应的第三代半导体单晶SiC晶圆化学机械抛光协调增效机理研究(No. 202301BE070001-030)，2023.12—2026.11，20万，在研，主持。

4. 浙江大学“硅及先进半导体材料全国重点实验室”2024年开放课题，面向单晶GaN原子级表面制造的电芬顿化学机械抛光协同增效抛光机理研究(项目批准号为SKL2024-06)，2024.07-2026.06，6万元，在研，主持。

5. 国家自然科学基金-面上项目，氮化镓晶片空间动态磁场磁流变电芬顿复合抛光研究(No. 52075102)，2021.01—2024.12，58万，已结题，参与。

6. 国家自然科学基金-广东联合基金项目，多场耦合控制磨料状态的新一代光电晶片超光滑平坦化加工理论与关键技术研究(No. U1801259)，2019.01—2022.12，255万，已结题，主研。

7. 广东省自然科学基金-面上项目，单晶GaN超光滑表面磁流变电芬顿复合抛光机理研究(No. 2019A1515011243)，2019.10—2022.09，10万，已结题，参与。

8. 广东省自然科学基金-重点项目，单晶SiC原子级超光滑表面磁流变化学复合抛光基础研究(2015A030311044)，2015.08—2018.08，30万，已结题，参与。

表性论文、专著

1. Xueqin Pang, Xianglin Mu, Zilei Bai, Deng Jiayun^✳, et al. Atomic-scale study of ultrasonic elliptical vibration-assisted cutting of InP crystals via molecular dynamics[J]. Journal of Materials Research and Technology, 41(2026), 2275-2288. (SCI中科院2区).

2. Jiacheng Geng, Deng Jiayun^✳, et al. Fundamental study on the chemical mechanical polishing for indium phosphide wafers: Thermochemical analysis, oxidation and chemical mechanical polishing experiments[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 203 (2026), 110252. (SCI中科院3区).

3. Bai Zilei, Deng Jiayun^✳, et al. Atomic Understanding of the Formation Mechanism of Nanoscratches on the Surface of Indium Phosphide in Different Tool Directions [J]. Langmuir, 2025, 41, 45, 30209–30223. (SCI中科院2区)

4. Bai Zilei, Deng Jiayun^✳, et al. Effect of Indenter Geometry on the Mechanical Response of Different Crystal Planes of InP in Nanoindentation: A Molecular Dynamics Study [J]. The Journal of Physical Chemistry C, 2025.( SCI中科院3区)

5. Wen Xiaoning, Deng Jiayun^✳, et al. Mechanical and Machining Properties of InP Wafers: A Combined Study via Theoretical Calculations, Molecular Dynamics Simulations, and Experimental Validation [J]. Langmuir, 2025, 41, 12450−12464. (SCI中科院2区)

6. Bai Zilei, Deng Jiayun^✳, et al. Deformation Mechanism of Indium Phosphide Wafers by Indenter Shape in Nanoindentation [J]. The Journal of Physical Chemistry C, 2025, 129: 7366-7376. (SCI中科院3区)

7. Wen Xiaoning, Deng Jiayun^✳, et al. Study on lapping mechanisms of different crystal planes of indium phosphide: molecular dynamics simulation and experimental verification [J]. Langmuir, 2025, 41, 35, 23850–23866. (SCI中科院2区)

8. Jiacheng Geng, Deng Jiayun^✳, et al. Surface quality prediction and validation of Electro-Fenton chemical mechanical polishing for single crystal SiC based on neural network models[J]. Results in Engineering, 2025, 27: 106687. (ESCI中科院2区 Top)

9. Wen Xiaoning, Deng Jiayun^✳, et al. Multiscale investigation of mechanical anisotropy and machining-induced damage mechanisms in single-crystal gallium Nitride: Insights from first-principles calculations and molecular dynamics simulations[J]. Materials Science in Semiconductor Processing, 199 (2025), 109837. (SCI中科院3区)

10. Deng Jiayun^✳, Bai Zilei, et al. Equilibrium between chemical and mechanical parameters for single-crystal SiC in Electro-Fenton chemical-mechanical polishing[J]. Diamond and Related Materials, 2025, 152: 111979. (SCI中科院3区)

专利及软件著作权登记

1. 邓家云, 陈实, 等. 一种SiC晶片表面氧化行为模拟方法、系统及设备[P]. 中国: CN 202511608756.9, 2025 .11 .5 (发明专利申请)

2. 邓家云, 白子雷, 等. 一种用于纳米压痕测试的仿真模拟方法[P]. 中国: CN 202510458449 .0, 2025 .04 .14 (发明专利申请)

3. 潘继生, 邓家云, 等. 一种增压雾化喷淋装置、抛光装置及抛光方法[P]. 中国: ZL201910214766.2, 2019.03.20 (发明专利授权)

4. 张棋翔, 潘继生, 邓家云, 等. 一种电芬顿集群磁流变复合研磨抛光装置[P]. 中国: CN201911337686.2, 2019.12.23 (发明专利授权)

5. 路家斌, 刘文涛, 熊强, 邓家云, 等. 一种金刚石晶片超精密加工方法及装置[P]. 中国: CN113352230A, 2021.06.17 (发明专利申请)

学术兼职